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公司新聞

變溫霍爾效應實驗儀
霍爾效應的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數據采集和處理在80K-400K溫度范圍內對霍爾系數和電導率的聯(lián)合測量，進行半導體導電機制及散射機制的研究，并可確定半導體的一些基本參數，如導電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質電離能等。
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